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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 66 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.9 A | 最大漏源导通电阻： | 12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSU1N60ATU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| SSU1N60B | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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| SSU1N60BTU | ROCHESTER |
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0.9A, 600V, 12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3 |
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| SSU1N60BTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSU1N60BTU-WS | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SSU2955 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251AA |
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| SSU2N55 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 550V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SSU2N60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SSU2N60A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSU2N60ATU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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