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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SSU2N60A
SSU2N60A PDF预览

SSU2N60A

更新时间： 2024-01-18 14:26:05
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 268K
描述
Advanced Power MOSFET

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SSU2N60A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A
最大漏极电流 (ID)：1.8 A最大漏源导通电阻：5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSU2N60A 数据手册

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SSR/U2N60A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 600 V  
RDS(on) = 5 W  
ID = 1.8 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ VDS = 600V  
Lower RDS(ON) : 3.892 W (Typ.)  
D-PAK  
I-PAK  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC=25o  
Continuous Drain Current (TC=100  
Drain Current-Pulsed  
Value  
600  
1.8  
Units  
VDSS  
V
)
oC  
C
ID  
A
)
1.1  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
6
A
V
1
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
30  
2
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
141  
1.8  
4.4  
3.0  
2.5  
44  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Total Power Dissipation (TA=25o  
mJ  
V/ns  
W
1
O
3
O
*
)
C
Total Power Dissipation (TC=25o  
)
PD  
W
C
0.35  
W/oC  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
R q  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
2.87  
50  
JC  
oC/W  
R q  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
JA  
JA  
R q  
110  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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