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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 55 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.165 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 18 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSU3N80A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA |
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| SSU3N90A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA |
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| SSU3N90ATU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SSU4N60A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-251AA |
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| SSU4N60B | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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| SSU4N60BTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSU50N10 | SECOS |
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54A , 100V , RDS(ON) 22m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSU90N04-02B | SECOS |
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N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSU90N04-02B_15 | SECOS |
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N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSUH-003T-P0.15 | JST |
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SUR连接器，设计用于0.8mm间距线对板压着型连接器。该连接器采用第一次压着法，最小间距 |
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