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SSU3N90ATU

更新时间： 2024-01-25 13:17:59

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
7页	649K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SSU3N90ATU 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SSU3N90ATU 数据手册

SSU3N90A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 900 V

R_DS(on)= 6.2 W

I_D= 2.5 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ V_DS= 900V

Low R_DS(ON): 4.679 W (Typ.)

I-PAK

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Value

900

2.5

Units

V_DSS

Continuous Drain Current (T_C=25 C)

Continuous Drain Current (T_C=100 ^OC)

Drain Current-Pulsed

I_D

1.6

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

232

2.5

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

V/ns

1.5

Total Power Dissipation (T_C=25 C)

P_D

T_J, T_STG

T_L

W/ ^OC

Linear Derating Factor

0.4

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

^OC

Purposes, 1/8“ from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

Units

R _q

2.5

^OC/ W

R _q

110

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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