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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 49 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11.2 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSU4N60B | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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| SSU4N60BTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSU50N10 | SECOS |
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54A , 100V , RDS(ON) 22m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSU90N04-02B | SECOS |
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N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSU90N04-02B_15 | SECOS |
获取价格 |
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET |
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| SSUH-003T-P0.15 | JST |
获取价格 |
SUR连接器，设计用于0.8mm间距线对板压着型连接器。该连接器采用第一次压着法，最小间距 |
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| SSUM10060 | MICROSEMI |
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100 AMP ULTRAFAST RECTIFIER |
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| SSUM300120 | MICROSEMI |
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SUPER SOFT ULTRAFAST RECOVERY MODULE |
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| SSUM30120 | MICROSEMI |
获取价格 |
30 AMP ULTRAFAST RECTIFIER |
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| SSUM75120 | MICROSEMI |
获取价格 |
75 AMP ULTRAFAST RECTIFIER |
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