SSU2N60A

更新时间： 2024-01-12 03:45:30

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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7页	268K
描述
Advanced Power MOSFET

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SSU2N60A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.8 A
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSU2N60A 数据手册

N-CHANNEL

POWER MOSFET

SSR/U2N60A

Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature

Fig 8. On-Resistance vs. Temperature

1.2

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1.1

1.0

@ Notes :

1. V_GS= 10 V

2. I_D= 1.0 A

0.9

@ Notes :

1. V_GS= 0 V

2. I_D= 250

0.8

-75

-50

-25

100

125

150

175

-75

-50

-25

100

125

150

175

T , Junction Temperature [ ^oC]

Fig 9. Max. Safe Operating Area

Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature

2.0

Operation in This Area

is Limited by R

DS(on)

1.5

1.0

0.5

0.0

100

1 ms

10ms

-1

@ Notes :

1. T_C= 25 ^o

2. T_J= 150 ^o

3. Single Pulse

-2

100

125

150

T , Case Temperature [ C]

_DS, Drain-Source Voltage [V]

Fig 11. Thermal Response

D=0.5

0.2

10⁰

10^-1

10^-2

Notes

_{θ JC}(t)=2.87 ^oC/W Max.

0.1

2. Duty Factor, D=t₁/t₂

3. T_JM-T_C=P_DM*Z_{θ JC}(t)

0.05

0.02

0.01

P_DM

single pulse

t₁

t₂

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

t₁, Square Wave Pulse Duration [sec]

1 2 345 6 7

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