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SSU2N90A

更新时间： 2024-02-26 05:36:48

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其他 - ETC		晶体晶体管
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7页	366K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 1.7A I(D) \| TO-251AA

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SSU2N90A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	214 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A
最大漏极电流 (ID)：	1.7 A	最大漏源导通电阻：	7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSU2N90A 数据手册

SSU2N90A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 900 V

R_DS(on)= 7.0 W

I_D= 1.7 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ V_DS= 900V

Low R_DS(ON): 5.838 W (Typ.)

I-PAK

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25 ^OC)

Continuous Drain Current (T_C=100 ^OC)

Drain Current-Pulsed

Value

900

1.7

Units

V_DSS

I_D

1.1

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

6.8

Gate-to-Source Voltage

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

214

1.7

4.5

1.5

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25 ^OC)

Linear Derating Factor

V/ns

P_D

T_J, T_STG

T_L

W/ ^OC

0.36

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

^OC

Purposes, 1/8“ from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

Units

R_q

2.78

110

^OC /W

R _qJA

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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