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SSTTIS93

更新时间: 2024-02-11 15:30:36
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其他 - ETC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 386K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23

SSTTIS93 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.8 A
基于收集器的最大容量:7 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):255 ns最大开启时间(吨):35 ns
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

SSTTIS93 数据手册

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