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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A |
| 基于收集器的最大容量： | 7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 255 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSTTIS97 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
|
| SSTTIS97T216 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| SSTU32864 | NXP |
获取价格 |
1.8 V configurable registered buffer for DDR2 RDIMM applications |
|
| SSTU32864EC | NXP |
获取价格 |
1.8 V configurable registered buffer for DDR2 RDIMM applications |
|
| SSTU32864EC,518 | NXP |
获取价格 |
SSTU32864 - 1.8 V configurable registered buffer for DDR2 RDIMM applications BGA 96-Pin |
|
| SSTU32864EC/G | NXP |
获取价格 |
1.8 V configurable registered buffer for DDR2 RDIMM applications |
|
| SSTU32864EC/G,518 | NXP |
获取价格 |
SSTU32864 - 1.8 V configurable registered buffer for DDR2 RDIMM applications BGA 96-Pin |
|
| SSTU32864HT | IDT |
获取价格 |
Interface Circuit |
|
| SSTU32865 | NXP |
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1.8 V 28-bit 1:2 registered buffer with parity for DDR2 RDIMM |
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| SSTU32865EG | NXP |
获取价格 |
1.8 V 28-bit 1:2 registered buffer with parity for DDR2 RDIMM |
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