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SSM6N7002KFU,LF

更新时间： 2024-09-21 21:17:15

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SSM6N7002KFU,LF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	5.69
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	1.75 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSM6N7002KFU

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)

SSM6N7002KFU

1. Applications

•

High-Speed Switching

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Note 1)

(2) ESD(HBM) level 2 kV

(3) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

Note 1: For detail information, please contact to our sales.

3. Packaging and Internal Circuit

1: Source1

2: Gate1

3: Drain2

4: Source2

5: Gate2

6: Drain1

US6

Start of commercial production

2015-05

2017-01-12

Rev.2.0

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6N7002KFULF(T	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
SSM6N813R	TOSHIBA	获取价格	N-ch x 2 MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.112 Ω@10V, T
SSM6N815R	TOSHIBA	获取价格	N-ch x 2 MOSFET, 100 V, 2.0 A, 0.103 Ω@10V, T
SSM6N951L	TOSHIBA	获取价格	N-ch x 2 Common-drain MOSFET, 12 V, 8 A, 0.00
SSM6P05FU	TOSHIBA	获取价格	Power Management Switch High Speed Switching Applications
SSM6P05FU_07	TOSHIBA	获取价格	Power Management Switch
SSM6P05U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| P-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 200MA I(D) \| TSOP
SSM6P09FU	TOSHIBA	获取价格	High Speed Switching Applications
SSM6P09FU_07	TOSHIBA	获取价格	High Speed Switching Applications
SSM6P15FE	TOSHIBA	获取价格	High Speed Switching Applications