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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SSM6P28TU
SSM6P28TU PDF预览

SSM6P28TU

更新时间： 2024-02-24 02:01:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 153K
描述
High-Speed Switching Applications

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SSM6P28TU 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.8 A
最大漏极电流 (ID)：0.8 A最大漏源导通电阻：0.234 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM6P28TU 数据手册

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SSM6P28TU  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type  
SSM6P28TU  
High-Speed Switching Applications  
Power Management Switch Applications  
Unit: mm  
•
•
•
1.8V drive  
2.1±0.1  
1.7±0.1  
P-ch 2-in-1  
Low ON-resistance:  
R
on  
R
on  
R
on  
= 460 mΩ (max) (@V  
= 306 mΩ (max) (@V  
= 234 mΩ (max) (@V  
= −1.8 V)  
= −2.5 V)  
= −4.0 V)  
GS  
GS  
GS  
1
2
6
5
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1 , Q2 Common)  
4
3
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−20  
± 8  
V
V
DS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
I
−0.8  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
−1.6  
DP  
D (Note 1)  
1.Source1  
2.Gate1  
4.Source2  
5.Gate2  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
P
500  
mW  
°C  
T
150  
ch  
3.Drain2  
6.Drain1  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
°C  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
UFM  
JEDEC  
―
―
JEITA  
TOSHIBA  
2-2T1B  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on an FR4 board (total dissipation)  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2 )  
Weight: 7 mg (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1 , Q2 Common)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
I
I
= − 1 mA, V  
= − 1 mA, V  
= 0  
− 20  
− 12  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
(BR) DSS  
(BR) DSX  
D
D
GS  
Drain-source breakdown voltage  
= + 8 V  
GS  
Drain cutoff current  
I
V
V
V
V
= − 20 V, V  
= 0  
= 0  
⎯
− 10  
± 1  
− 1.0  
⎯
μA  
μA  
V
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
Gate leakage current  
Gate threshold voltage  
Forward transfer admittance  
I
= ± 8 V, V  
⎯
⎯
GSS  
DS  
V
= − 3 V, I = − 1 mA  
− 0.3  
1.5  
⎯
⎯
th  
D
⏐Y ⏐  
= − 3 V, I = − 0.6 A  
(Note 2)  
(Note 2)  
(Note 2)  
(Note 2)  
2.5  
175  
230  
300  
250  
45  
S
fs  
D
I
I
I
= − 0.6 A, V  
= − 4.0 V  
= − 2.5 V  
= − 1.8 V  
234  
306  
460  
⎯
D
D
D
GS  
GS  
GS  
Drain-source ON-resistance  
R
mΩ  
= − 0.4 A, V  
= − 0.1 A, V  
⎯
DS (ON)  
⎯
Input capacitance  
C
V
V
V
= − 10 V, V  
= − 10 V, V  
= − 10 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
= 0, f = 1 MHz  
⎯
pF  
pF  
pF  
iss  
DS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
Output capacitance  
C
⎯
⎯
oss  
Reverse transfer capacitance  
C
⎯
35  
⎯
rss  
on  
Turn-on time  
Switching time  
t
t
⎯
12  
⎯
V
V
= − 10 V, I = − 0.25 A,  
DD  
GS  
D
ns  
V
= 0 to − 2.5 V, R = 4.7 Ω  
Turn-off time  
18  
G
⎯
⎯
⎯
off  
Drain-source forward voltage  
Note 2: Pulse test  
V
I
= 0.8 A, V = 0 V  
GS  
(Note 2)  
0.85  
1.2  
DSF  
D
1
2007-11-01  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6P28TU(TE85L) TOSHIBA

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