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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.26 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 11 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSM6P35FU(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363 |
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| SSM6P35FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363 |
|
| SSM6P36FE | TOSHIBA |
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Power Management Switches |
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| SSM6P36FE(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,330MA I(D),SOT-363VAR |
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| SSM6P36FE(TE85L,F) | TOSHIBA |
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MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6 |
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| SSM6P36FE(TPL3) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,330MA I(D),SOT-363VAR |
|
| SSM6P36TU | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 330 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UF6, 2-2T1B, 6 PI |
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| SSM6P36TU(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,330MA I(D),SOT-363VAR |
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| SSM6P36TU,LF | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| SSM6P36TU,LF(T | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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