Datasheet > SSM6P35FE(TPL3,F)

SSM6P35FE(TPL3,F)

更新时间： 2024-11-05 21:14:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
5页	189K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SSM6P35FE(TPL3,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SSM6P35FE(TPL3,F) 数据手册

浏览型号SSM6P35FE(TPL3,F)的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号SSM6P35FE(TPL3,F)的Datasheet PDF文件第3页

SSM6P35FE

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

SSM6P35FE

○High-Speed Switching Applications

Unit: mm

1.6±0.05

○Analog Switch Applications

1.2±0.05

•

1.2-V drive

Low ON-resistance : R = 44 Ω (max) (@V

= -1.2 V)

= -1.5 V)

= -2.5 V)

= -4.0 V)

: R = 22 Ω (max) (@V

: R = 11 Ω (max) (@V

: R

8 Ω (max) (@V

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C) (Common to the Q1, Q2)

Characteristics

Drain–source voltage

Symbol

Rating

Unit

-20

±10

DSS

1.Source1 4.Source2

Gate–source voltage

GSS

2.Gate1

3.Drain2

5.Gate2

6.Drain1

ES6

-100

Drain current

Pulse

-200

JEDEC

JEITA

Drain power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P (Note 1)

150

°C

150

stg

−55 to 150

°C

TOSHIBA

2-2N1D

Weight: 3.0 mg (typ.)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating

conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

Mounted on an FR4 board

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.135 mm²× 6)

Marking

Equivalent Circuit (top view)

2008-03-14

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SSM6P35FE(TPL3,F)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6P35FU	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, US6, 2-2J1C, 6 PI
SSM6P35FU(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363
SSM6P35FU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-363
SSM6P36FE	TOSHIBA	获取价格	Power Management Switches
SSM6P36FE(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,330MA I(D),SOT-363VAR
SSM6P36FE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6
SSM6P36FE(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,330MA I(D),SOT-363VAR
SSM6P36TU	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 330 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UF6, 2-2T1B, 6 PI
SSM6P36TU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,330MA I(D),SOT-363VAR
SSM6P36TU,LF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor

与SSM6P35FE(TPL3,F)相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SSM6P35FE(TPL3,F)

SSM6P35FE(TPL3,F) 技术参数

SSM6P35FE(TPL3,F) 数据手册

与SSM6P35FE(TPL3,F)相关器件

与SSM6P35FE(TPL3,F)相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SSM6P35FE(TPL3,F)

SSM6P35FE(TPL3,F) 技术参数

SSM6P35FE(TPL3,F) 数据手册

与SSM6P35FE(TPL3,F)相关器件

与SSM6P35FE(TPL3,F)相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？