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SSM6N36TU(TE85L,F)

更新时间： 2024-01-15 10:38:37

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
5页	197K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR

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SSM6N36TU(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SSM6N36TU(TE85L,F) 数据手册

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SSM6N36TU

|Y | – I

– V

10000

1000

100

Common Source

= 3 V

3000

1000

Ta = 25°C

25 °C

300

100

Common Source

Ta =100 °C

= 0 V

−25 °C

0.1

100

1000

–0.5

–1.0

–1.5

Drain current

(mA)

Drain-source voltage

(V)

C – V

t – I

1000

100

Common Source

off

= 10 V

= 0 to 2.5 V

iss

Ta = 25 °C

= 4.7 Ω

oss

rss

Common Source

Ta = 25°C

f = 1 MHz

= 0 V

0.1

100

1000

Drain-source voltage

(V)

Drain current

(mA)

P * – Ta

Dynamic Input Characteristic

1000

Mounted on a FR4 board.

(25.4mm × 25.4mm × 1.6mm ,

Cu Pad: 645 mm²)

Common Source

= 0.5 A

t=10s

800

600

400

Ta = 25°C

= 10 V

= 16 V

200

-40 -20

60 80 100 120 140 160

*: Total Rating Ambient temperature Ta (°C)

Total Gate Charge Qg (nC)

2008-02-29

1 2 345

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