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SSM6N40TU

更新时间： 2024-01-11 03:47:42

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	272K
描述
TRANSISTOR 1600 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, UF6, 2-2T1B, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SSM6N40TU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.3	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	1.6 A
最大漏源导通电阻：	0.122 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM6N40TU 数据手册

SSM6N40TU

東芝電界効果トランジスタシリコンNチャネルMOS形

SSM6N40TU

○パワーマネジメントスイッチ

単位: mm

2.1±0.1

○高速スイッチング

1.7±0.1

• 4V駆動です

• 小型パッケージにNch 2素子を内蔵

• オン抵抗が低い。

= 182mΩ (max) (@V

= 122mΩ (max) (@V

= 4 V)

= 10 V)

絶対最大定格 (Ta = 25°C) (Q1,Q2 共通)

項

目

記号

定

格

単位

ドレイン・ソース間電圧

ゲート・ソース間電圧

± 20

1.6

DSS

GSS

ドレイン電流

パルス

1.ｿｰｽ1

2.ｹﾞｰﾄ1

3.ﾄﾞﾚｲﾝ2

4.ｿｰｽ2

5.ｹﾞｰﾄ2

6.ﾄﾞﾚｲﾝ1

3.2

(注1)

UF6

ド

チ

保

レ

ャ

イ

ネ

ン

ル

損

温

失

度

500

150

°C

JEDEC

―

存

温

−55~150

°C

stg

JEITA

注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で

の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な

温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す

るおそれがあります。

東芝

2-2T1B

質量: 7.0mg (標準)

弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお

よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認

の上、適切な信頼性設計をお願いします。

注1: FR4 基板実装時 (TOTAL 定格です)

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 645 mm )

2007-10-18

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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