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SSM6N7002AFU

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 196K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, US6, 2-2J1C, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SSM6N7002AFU 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM6N7002AFU 数据手册

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SSM6N7002AFU  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type  
SSM6N7002AFU  
High-Speed Switching Applications  
Analog Switch Applications  
Unit: mm  
2.1±0.1  
•
•
Small package  
1.25±0.1  
Low ON-resistance: R  
= 3.3 Ω (max) (@V  
= 4.5 V)  
= 5 V)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
GS  
: R  
: R  
= 3.2 Ω (max) (@V  
= 3.0 Ω (max) (@V  
1
2
3
= 10 V)  
6
5
4
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
60  
± 20  
V
V
DS  
Gate-Source voltage  
V
GSS  
1. SOURCE 1 4. SOURCE 2  
DC  
I
200  
D
2. GATE 1  
3. DRAIN 2  
5. GATE 2  
6. DRAIN 1  
Drain current  
mA  
Pulse  
I
800  
DP  
Drain power dissipation (Ta = 25°C)  
Channel temperature  
P
(Note)  
300  
mW  
°C  
D
T
US6  
150  
ch  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
°C  
stg  
Note: Total rating, mounted on FR4 board  
2
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm (t), Cu Pad: 0.32mm × 6)  
TOSHIBA  
2-2J1C  
Weight: 0.012 g (typ.)  
0.4 mm  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
6
5
4
6
5
4
Q1  
NK  
Q2  
1
2
3
1
2
3
Handling Precaution  
When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is  
protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects  
that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  
1
2009-03-31  
12345

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与SSM6N7002AFU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6N7002BFE TOSHIBA

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SSM6N7002BFU TOSHIBA

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 		High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications
SSM6N7002BFU(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,200MA I(D),SOT-363
SSM6N7002BFU,LF(D TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM6N7002CFU TOSHIBA

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