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SSM6N36TU(TE85L,F)

更新时间： 2024-02-08 20:22:24

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
5页	197K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR

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SSM6N36TU(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SSM6N36TU(TE85L,F) 数据手册

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SSM6N36TU

– V

I – V

D GS

1000

800

1000

100

10 V

2.5 V

1.8 V

1.5 V

4.5 V

Ta = 100 °C

600

400

− 25 °C

VGS = 1.2 V

25 °C

200

0.1

Common Source

Ta = 25 °C

= 3 V

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

2.0

3.0

Drain-source voltage

(V)

Gate-source voltage

(V)

– V

DS (ON)

– I

DS (ON)

=200 mA

Common Source

Ta = 25°C

1.8 V

1.5 V

25 °C

Ta = 100 °C

− 25 °C

VGS = 4.5V

200

2.5V

400

600

800

1000

Gate-source voltage

(V)

Drain current

(mA)

– Ta

DS (ON)

1.5

1.0

0.5

Common Source

= 50 m A / V = 1.5 V

Common Source

= 3 V

100 m A / 1.8 V

200 m A / 2.5 V

= 1 mA

1.0

0.5

200 m A / 4.5 V

200 m A / 5.0 V

−50

100

150

−50

100

150

Ambient temperature Ta (°C)

2008-02-29

1 234 5

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