Datasheet > SPW15N60CFD

SPW15N60CFD

更新时间： 2024-11-15 21:19:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	758K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SPW15N60CFD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	460 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13.4 A	最大漏极电流 (ID)：	13.4 A
最大漏源导通电阻：	0.33 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	156 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	33 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPW15N60CFD 数据手册

SPW15N60CFD

CoolMOS^TMPower Transistor

Product Summary

_DS@ Tjmax

R _DS(on),max

I _D

Features

650

0.330

13.4

Ω

• Intrinsic fast-recovery body diode

• Extremely low reverse recovery charge

• Ultra low gate charge

PG-TO247

• Extreme dv /dt rated

• High peak current capability

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

CoolMOS CFD designed for:

• Softswitching PWM Stages

• LCD & CRT TV

Type

Package

Marking

SPW15N60CFD

PG-TO247

15N60CFD

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

13.4

8.4

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=6.7 A, V _DD=50 V

I _D=13.4 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

460

Avalanche energy, repetitive^2),3)

Avalanche current, repetitive^2),3)

E _AR

I _AR

0.8

13.4

I _D=13.4 A,

Drain source voltage slope

dv /dt

V/ns

_DS=480 V, T _j=125 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

V/ns

I _S=13.4 A, V _DS=480 V,

T _j=125 °C

600

Maximum diode commutation speed di /dt

A/µs

V _GS

±20

±30

Gate source voltage

static

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

156

-55 ... 150

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

Mounting torque

°C

M3 & 3.5 screws

Ncm

Rev. 1.2

page 1

2008-02-11

Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009-134-A

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

SPW15N60CFD 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STB15NM60ND	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh? II
STF21NM60ND	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600 V, 0.17 Ω, 17 A FDmesh™ II Powe
SPA20N65C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor

与SPW15N60CFD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPW16N50C3	INFINEON	获取价格	Cool MOS™ Power Transistor
SPW16N50C3_08	INFINEON	获取价格	COOL MOS POWER TRANSISTOR
SPW17N80C2	INFINEON	获取价格	Cool MOS Power Transistor
SPW17N80C3	INFINEON	获取价格	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPW17N80C3_08	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology Extreme dv/d
SPW17N80C3A	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
SPW17N80C3FKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPW20N60C2	INFINEON	获取价格	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPW20N60C3	INFINEON	获取价格	Cool MOS™ Power Transistor
SPW20N60C3_08	INFINEON	获取价格	Cool MOS Power Transistor

与SPW15N60CFD相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

11
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SPW15N60CFD

SPW15N60CFD 技术参数

SPW15N60CFD 数据手册

SPW15N60CFD 替代型号

与SPW15N60CFD相关器件

与SPW15N60CFD相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SPW15N60CFD

SPW15N60CFD 技术参数

SPW15N60CFD 数据手册

SPW15N60CFD 替代型号

与SPW15N60CFD相关器件

与SPW15N60CFD相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？