STB15NM60ND

更新时间： 2024-11-26 09:01:27

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC
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19页	601K
描述
N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh? II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

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STB15NM60ND 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.58
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	221981	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Transistor	Samacsys Package Category：	TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：	D2PAK_STD_ST	Samacsys Released Date：	2015-11-09 14:24:38
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.299 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STB15NM60ND 数据手册

STB15NM60ND - STF/I15NM60ND

STP15NM60ND - STW15NM60ND

N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II Power MOSFET

D²PAK, I²PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247

Features

Type

V_DSS(@Tjmax)R_DS(on)max

I_D

STB15NM60ND

STF15NM60ND

STI15NM60ND

STP15NM60ND

STW15NM60ND

14 A

D²PAK

I²PAK

650 V

0.299 Ω 14 A⁽¹⁾

14 A

TO-247

1. Limited only by maximum temperature allowed

■ The worldwide best R

* area amongst the

DS(on)

fast recovery diode devices

TO-220FP

TO-220

■ 100% avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

■ Extremely high dv/dt and avalanche

capabilities

Application

■ Switching applications

Description

The FDmesh™ II series belongs to the second

generation of MDmesh™ technology. This

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company's strip layout

and associates all advantages of reduced on-

resistance and fast switching with an intrinsic fast-

recovery body diode.Strongly recommended for

bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

D²PAK

Packaging

STB15NM60ND

STF15NM60ND

STI15NM60ND

STP15NM60ND

STW15NM60ND

15NM60ND

Tape and reel

Tube

TO-220FP

I²PAK

Tube

TO-220

TO-247

Tube

April 2008

Rev 2

1/19

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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STB15NM60ND 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STB15NM60N	STMICROELECTRONICS	类似代替	N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO
IPA60R165CP	INFINEON	功能相似	CoolMOS Power Transistor

与STB15NM60ND相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STB15NM65N	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP -
STB15-O-0	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB15-O-1	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB15-O-2	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB15-O-3	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB15-O-4	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB15-O-5	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB15-O-6	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB15-O-7	TE	获取价格	STD and STB Markers
STB15-O-8	TE	获取价格	STD and STB Markers

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