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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 18页 | 608K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.78 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.299 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB15NM60ND | STMICROELECTRONICS |
类似代替  |
N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh? II |
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| STI15NM60N | STMICROELECTRONICS |
类似代替 |
N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO |
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| STI15NM60ND | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB15NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh? II |
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| STB15NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - |
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| STB15-O-0 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-1 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB15-O-2 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB15-O-3 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB15-O-4 | TE |
获取价格 |
STD and STB Markers |
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| STB15-O-5 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-6 | TE |
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STD and STB Markers |
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| STB15-O-7 | TE |
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STD and STB Markers |
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