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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPW20N60CFDFKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SPW20N60S5 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPW21N50C3 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPW21N50C3_08 | INFINEON |
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Cool MOS Power Transistor |
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| SPW24N60C3 | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| SPW24N60C3_08 | INFINEON |
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Cool MOS? Power Transistor |
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| SPW24N60CFD | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| SPW24N60CFDFKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21.7A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| SPW31002D | SECOS |
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Bipolar Tone Ringer ICS |
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| SPW31002S | SECOS |
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Bipolar Tone Ringer ICs |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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