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SPW24N60C3

更新时间: 2024-11-14 22:21:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 231K
描述
CoolMOS Power Transistor

SPW24N60C3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-247
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:1.81
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):780 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):24.3 A最大漏极电流 (ID):24.3 A
最大漏源导通电阻:0.16 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):240 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):72.9 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

SPW24N60C3 数据手册

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SPW24N60C3  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @ T j,max  
R DS(on),max  
I D  
V
650  
V
A
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
0.16  
24.3  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv /dt rated  
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
P-TO247  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
SPW24N60C3  
P-TO247  
Q67040-S4640  
24N60C3  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
24.3  
15.4  
72.9  
780  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
E AS  
I D=12.1 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
1),2)  
1)  
E AR  
I AR  
I D=24.3 A, V DD=50 V  
1.5  
Avalanche energy, repetitive t AR  
24.3  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
Drain source voltage slope  
Gate source voltage  
I D=24.3 A,  
50  
dv /dt  
V/ns  
V
V
DS=480 V, T j=125 °C  
V GS  
±20  
±30  
static  
V GS  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
240  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2004-04-27  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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