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SPW35N60C3

更新时间： 2024-09-29 22:21:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	231K
描述
CoolMOS Power Transistor

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SPW35N60C3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-247AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	7.9	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34.6 A
最大漏极电流 (ID)：	34.6 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	313 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	103.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPW35N60C3 数据手册

SPW35N60C3

CoolMOS^TMPower Transistor

Features

Product Summary

_DS@ T _j,max

R _DS(on),max

I _D

650

0.1

Ω

• New revolutionary high voltage technology

• Ultra low gate charge

34.6

• Periodic avalanche rated

• Extreme dv /dt rated

• Ultra low effective capacitances

• Improved transconductance

P-TO247

Type

Package

Ordering Code Marking

SPW35N60C3

P-TO247

Q67040-S4673

35N60C3

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

34.6

21.9

103.8

1500

1.5

Continuous drain current

Pulsed drain current¹⁾

I _D,pulse

E _AS

E _AR

I _AR

I _D=17.3 A, V _DD=50 V

I _D=34.6 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

1),2)

Avalanche energy, repetitive t _AR

34.6

Avalanche current, repetitive t _AR

Drain source voltage slope

Gate source voltage

I _D=34.6 A,

dv /dt

V/ns

_DS=480 V, T _j=125 °C

V _GS

±20

±30

static

V _GS

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

313

Power dissipation

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

°C

Rev. 1.0

page 1

2004-05-10

12 3 4 5 6 7...10

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SPW35N60C3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPW60R099C6	INFINEON	类似代替	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
STW43NM60ND	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600 V, 0.075 Ω, 35 A TO-247 FDmesh™
IPP60R099C6	INFINEON	功能相似	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

与SPW35N60C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPW35N60C3_05	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor
SPW35N60C3FKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34.6A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SPW35N60CFD	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
SPW35N60CFD_08	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor
SPW3842D	SECOS	获取价格	High Performance Current Mode Controlers
SPW3842S	SECOS	获取价格	High Performance Current Mode Controlers
SPW4558D	SECOS	获取价格	Dual Operational Amplifier
SPW47N60C2	INFINEON	获取价格	Cool MOS⑩ Power Transistor
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SPW47N60C3_08	INFINEON	获取价格	Cool MOS Power Transistor

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