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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 7.89 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF820AL | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
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| IRF820ALPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| STP4NC60 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220F |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP02N60C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu |
|
| SPP02N60C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
COOL MOS POWER TRANSISTOR |
|
| SPP02N60C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SPP02N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP02N60S5_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu |
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| SPP02N80C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPP02N80C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP02N80C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SPP02V30S | SWST |
获取价格 |
肖特基整流管 |
|
| SPP03N60C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
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