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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPP02N60C3
SPP02N60C3 PDF预览

SPP02N60C3

更新时间： 2024-01-23 20:36:04
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 254K
描述
Cool MOS™ Power Transistor

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SPP02N60C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.32
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：50 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：1.8 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：5.4 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPP02N60C3 数据手册

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SPP06N80C3  
SPA06N80C3  
Final data  
Cool MOS™ Power Transistor  
V
800  
0.9  
6
V
Ω
A
DS  
Feature  
R
DS(on)  
I
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
D
P-TO220-3-31 P-TO220-3-1  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
3
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
2
1
P-TO220-3-31  
• P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPP06N80C3  
P-TO220-3-1 Q67040-S4351  
06N80C3  
SPA06N80C3  
P-TO220-3-31 Q67040-S4435  
06N80C3  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SPP  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
6
3.8  
6
C
1)  
T = 100 °C  
3.8  
C
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
18  
18  
A
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
E
230  
230  
mJ  
AS  
I =1.2A, V =50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
0.2  
0.2  
AR  
AR  
jmax  
I =6A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive t limited by T  
Gate source voltage  
I
6
6
A
V
AR  
jmax  
AR  
V
V
P
±20  
±30  
83  
±20  
±30  
39  
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
Operating and storage temperature  
T , T  
-55...+150  
°C  
j
stg  
Page 1  
2003-07-02  
1234567...12

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SPP02N60C3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF820AL VISHAY

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 Power MOSFET
IRF820ALPBF VISHAY

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功能相似

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