IRF820AL

更新时间： 2024-01-15 02:16:25

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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Power MOSFET

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IRF820AL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	40 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON

IRF820AL 数据手册

IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

500

Requirement

Available

_DS(on)(Max.) (Ω)

V_GS= 10 V

3.0

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

4.3

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

8.5

Configuration

Single

• Effective C_ossspecified

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

D²PAK

(TO-263)

I²PAK

(TO-262)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half Bridge and Full Bridge

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF820ASPbF

SiHF820AS-E3

IRF820AS

I²PAK (TO-262)

IRF820ALPbF

SiHF820AL-E3

IRF820AL

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF820AS

SiHF820AL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

2.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.6

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

Avalanche Current^a

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

0.4

W/°C

I_AR

E_AS

140

I_AR

2.5

Repetiitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

E_AR

5.0

_C= 25 °C

P_D

3.4

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 45 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.5 A, dI/dt ≤ 270 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF820A/SiHF820A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91058

S-Pending-Rev. A, 02-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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IRF820ALPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF820ALPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF820ALTRLPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF820APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF820APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF820AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF820AS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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