IRF820AL

更新时间： 2024-11-01 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	168K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF820AL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF820AL 数据手册

IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

500

Requirement

Available

_DS(on)(Max.) (Ω)

V_GS= 10 V

3.0

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

4.3

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

8.5

Configuration

Single

• Effective C_ossspecified

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

D²PAK

(TO-263)

I²PAK

(TO-262)

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half Bridge and Full Bridge

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF820ASPbF

SiHF820AS-E3

IRF820AS

I²PAK (TO-262)

IRF820ALPbF

SiHF820AL-E3

IRF820AL

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF820AS

SiHF820AL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

2.5

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.6

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

Avalanche Current^a

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

0.4

W/°C

I_AR

E_AS

140

I_AR

2.5

Repetiitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

E_AR

5.0

_C= 25 °C

P_D

3.4

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 45 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.5 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.5 A, dI/dt ≤ 270 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF820A/SiHF820A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91058

S-Pending-Rev. A, 02-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRF820AL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF820ALPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF820ALPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF820ALTRLPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRF820APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF820APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF820AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF820AS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
IRF820AS, SiHF820AS, IRF820AL, SiHF820AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF820ASPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF820ASPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRF820AL相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

22
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

23
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

46
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF820AL

IRF820AL 技术参数

IRF820AL 数据手册

与IRF820AL相关器件

与IRF820AL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRF820AL

IRF820AL 技术参数

IRF820AL 数据手册

与IRF820AL相关器件

与IRF820AL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？