5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE | 雪崩能效等级（Eas）： | 90 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.7 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPP11N80C3 | INFINEON |
类似代替  |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP08N80C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPA04N80C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP02N80C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP02N80C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SPP02V30S | SWST |
获取价格 |
肖特基整流管 |
|
| SPP03N60C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPP03N60C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
COOL MOS POWER TRANSISTOR |
|
| SPP03N60C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
|
| SPP03N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP03N60S5_03 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPP03N60S5_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP0402 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
