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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13.5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP04N60C2 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPP04N60C3 | INFINEON |
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Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPP04N60C3_09 | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
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| SPP04N60S5 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP04N60S5_07 | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
|
| SPP04N60S5_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolu |
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| SPP04N80C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP04N80C3_08 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
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| SPP04N80C3XK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SPP04N80C3XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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