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SPP04N60C2 PDF预览

SPP04N60C2

更新时间： 2024-01-18 07:05:59
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页数 文件大小 规格书
14页 166K
描述
Cool MOS⑩ Power Transistor

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SPP04N60C2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.95 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP04N60C2 数据手册

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SPP04N60C2, SPB04N60C2  
SPA04N60C2  
Final data  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
Product Summary  
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
V
@ T  
jmax  
650  
0.95  
4.5  
V
Ω
A
DS  
R
DS(on)  
• Periodic avalanche rated  
I
D
• Extreme dv/dt rated  
• Ultra low effective capacitances  
P-TO220-3-31 P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
3
2
1
P-TO220-3-31  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPP04N60C2  
P-TO220-3-1 Q67040-S4304  
04N60C2  
SPB04N60C2  
SPA04N60C2  
P-TO263-3-2 Q67040-S4305  
P-TO220-3-31 Q67040-S4330  
04N60C2  
04N60C2  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SPA  
SPP_B  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
4.5  
2.8  
4.5  
C
1)  
T = 100 °C  
2.8  
C
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
9
9
A
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
E
130  
130  
mJ  
AS  
I =3.6A, V =50V  
D
DD  
2)  
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
E
0.4  
0.4  
AR  
jmax  
AR  
I =4.5A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive t limited by T  
I
AR  
4.5  
6
4.5  
6
A
AR  
jmax  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
V/ns  
I = 4.5 A, V < V , di/dt=100A/µs, T =150°C  
jmax  
S
DS  
DD  
Gate source voltage  
V
V
P
±20  
±30  
50  
±20  
±30  
31  
V
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
Operating and storage temperature  
T , T  
-55...+150  
°C  
j
stg  
Page 1  
2002-08-12  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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