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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2661 | TOSHIBA |
功能相似  |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
|
| STP6NC60 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPP03N60C3_07 | INFINEON |
获取价格 |
COOL MOS POWER TRANSISTOR |
|
| SPP03N60C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated |
|
| SPP03N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPP03N60S5_03 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPP03N60S5_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology |
|
| SPP0402 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| SPP0403 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| SPP0408 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| SPP0409 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| SPP0412 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
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