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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.51 |
| 当前传输比率-最小值： | 80% | 最大正向电流： | 0.07 A |
| 最大正向电压： | 1.4 V | 最大绝缘电压： | 2500 V |
| 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT | 元件数量： | 1 |
| 最大通态电流： | 0.03 A | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 最大功率耗散： | 0.1 W |
| 最长响应时间： | 0.000003 s | 子类别： | Optocoupler - Transistor Outputs |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPI10N10 | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor |
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| SPI10N10L | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor |
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| SPI11N60C3 | INFINEON |
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Cool MOS Power Transistor |
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| SPI11N60C3HKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPI11N60C3XK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPI11N60CFD | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
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| SPI11N60S5 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPI11N65C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPI11N65C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPI11N65C3XK | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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