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SPI15N60CFDHKSA1

更新时间: 2024-11-23 18:37:15
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 559K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

SPI15N60CFDHKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-262AA
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.74雪崩能效等级(Eas):460 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):13.4 A最大漏源导通电阻:0.33 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):33 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SPI15N60CFDHKSA1 数据手册

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