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SPI20N60C3XK

更新时间: 2024-10-02 08:27:23
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英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 683K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

SPI20N60C3XK 技术参数

生命周期:Active包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):690 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):20.7 A最大漏源导通电阻:0.19 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-262AA
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):62.1 A表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SPI20N60C3XK 数据手册

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Power dissipation, T = 25°C  
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Reverse diode dv/dt  
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15  
V/ns  
Rev.3.2  
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2009-11-30  

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