是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-262AA |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.72 | 雪崩能效等级(Eas): | 690 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20.7 A | 最大漏极电流 (ID): | 20.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.22 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 208 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 52 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPI65R190CFD | INFINEON |
类似代替 |
Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor | |
SPI20N60C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS Power Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SPI20N65C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor | |
SPI214 | ONSEMI |
获取价格 |
Optoelectronic Device, | |
SPI21N10 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor | |
SPI21N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor | |
SPI220LE | SPI |
获取价格 |
220/250 Watts Flex ATX Switching Power Supply | |
SPI220LE5 | SPI |
获取价格 |
220/250 Watts Flex ATX Switching Power Supply | |
SPI-235-19 | SANYO |
获取价格 |
Ultraminiature photointerrupter (single-transistor type) | |
SPI-236-17 | SANYO |
获取价格 |
Ultraminiature photointerrupter (single-transistor type) | |
SPI237 | ONSEMI |
获取价格 |
Optoelectronic Device, | |
SPI237-20 | ONSEMI |
获取价格 |
Optoelectronic Device, |