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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 21 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPI21N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPI220LE | SPI |
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220/250 Watts Flex ATX Switching Power Supply |
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| SPI220LE5 | SPI |
获取价格 |
220/250 Watts Flex ATX Switching Power Supply |
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| SPI-235-19 | SANYO |
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Ultraminiature photointerrupter (single-transistor type) |
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| SPI-236-17 | SANYO |
获取价格 |
Ultraminiature photointerrupter (single-transistor type) |
|
| SPI237 | ONSEMI |
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Optoelectronic Device, |
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| SPI237-20 | ONSEMI |
获取价格 |
Optoelectronic Device, |
|
| SPI-238-18 | SANYO |
获取价格 |
Ultraminiature photointerrupter (single-transistor type) |
|
| SPI238-18 | ONSEMI |
获取价格 |
Reflective Object Sensor, IC,PHOTO GAP DETECTOR,1-CHANNEL,GAP-1C |
|
| SPI-240-15-T1 | SANYO |
获取价格 |
Ultraminiature photointerrupter supporting reflow soldering (Darlington-transistor type) |
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