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SPI15N60CFD

更新时间： 2024-10-01 06:13:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	329K
描述
CoolMOSTM Power Transistor Intrinsic fast-recovery body diode

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SPI15N60CFD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.69
雪崩能效等级（Eas）：	460 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13.4 A
最大漏极电流 (ID)：	13.4 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	156 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	33 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPI15N60CFD 数据手册

SPI15N60CFD

CoolMOS^TMPower Transistor

Product Summary

_DS@ Tjmax

R _DS(on),max

I _D

Features

650

0.330

13.4

Ω

• Intrinsic fast-recovery body diode

• Extremely low reverse recovery charge

• Ultra low gate charge

PG-TO262

• Extreme dv /dt rated

• High peak current capability

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

CoolMOS CFD designed for:

• Softswitching PWM Stages

• LCD & CRT TV

Type

Package

Marking

Type

Package

SPI15N60CFD

SPP15N60CFD

PG-TO262

PG-TO220

15N60CFD

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

13.4

8.4

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=6.7 A, V _DD=50 V

I _D=13.4 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

460

Avalanche energy, repetitive^2),3)

Avalanche current, repetitive^2),3)

E _AR

I _AR

0.8

13.4

I _D=13.4 A,

Drain source voltage slope

dv /dt

V/ns

_DS=480 V, T _j=125 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

V/ns

I _S=13.4 A, V _DS=480 V,

T _j=125 °C

600

Maximum diode commutation speed di /dt

A/µs

V _GS

±20

±30

Gate source voltage

static

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

156

-55 ... 150

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

Mounting torque

°C

M3 & 3.5 screws

page 1

Ncm

Rev. 1.0

2007-01-29

12 3 4 5 6 7...12

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SPI15N60CFD 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPI65R310CFD	INFINEON	类似代替	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor
SPI15N60CFDHKSA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与SPI15N60CFD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPI15N60CFDHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SPI15N65C3	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor Features Extreme dv/dt rated
SPI15N65C3HKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPI16N50C3	INFINEON	获取价格	Cool MOS⑩ Power Transistor
SPI16N50C3HKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPI180LE	SPI	获取价格	180 Watts Flex ATX Switching Power Supply
SPI202	ONSEMI	获取价格	Optoelectronic Device,
SPI204	ONSEMI	获取价格	IC,PHOTO GAP DETECTOR,1-CHANNEL,GAP-1C
SPI206-10	ONSEMI	获取价格	IC,PHOTO GAP DETECTOR,1-CHANNEL,GAP-1C
SPI208	ONSEMI	获取价格	IC,PHOTO GAP DETECTOR,1-CHANNEL,GAP-1C

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