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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.33 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 460 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 16 A | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPI16N50C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPI180LE | SPI |
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180 Watts Flex ATX Switching Power Supply |
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| SPI202 | ONSEMI |
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Optoelectronic Device, |
|
| SPI204 | ONSEMI |
获取价格 |
IC,PHOTO GAP DETECTOR,1-CHANNEL,GAP-1C |
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| SPI206-10 | ONSEMI |
获取价格 |
IC,PHOTO GAP DETECTOR,1-CHANNEL,GAP-1C |
|
| SPI208 | ONSEMI |
获取价格 |
IC,PHOTO GAP DETECTOR,1-CHANNEL,GAP-1C |
|
| SPI20N60C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPI20N60C3XK | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| SPI20N60CFD | INFINEON |
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Cool MOS? Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology |
|
| SPI20N65C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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