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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPI11N60C3XK
SPI11N60C3XK PDF预览

SPI11N60C3XK

更新时间： 2024-11-29 13:13:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 662K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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SPI11N60C3XK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：340 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.38 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：33 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPI11N60C3XK 数据手册

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SPP11N60C3  
SPI11N60C3, SPA11N60C3  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
V
@ T  
650  
0.38  
11  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
I
D
PG-TO220-3-31 PG-TO262-3  
PG-TO220  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
3
• High peak current capability  
• Improved transconductance  
2
1
P-TO220-3-31  
• PG-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
11N60C3  
11N60C3  
11N60C3  
SPP11N60C3  
SPI11N60C3  
SPA11N60C3  
PG-TO220-3 Q67040-S4395  
PG-TO262-3 Q67042-S4403  
PG-TO220-3-31  
SP000216312  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SPP_I  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
11  
7
11  
C
1)  
T = 100 °C  
7
C
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
33  
33  
A
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
E
340  
340  
mJ  
AS  
I =5.5A, V =50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
AR  
0.6  
0.6  
AR  
jmax  
I =11A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive t limited by T  
I
11  
20  
11  
20  
30  
33  
A
V
AR  
jmax  
AR  
Gate source voltage static  
V
V
P
T
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
30  
Power dissipation, T = 25°C  
125  
W
C
Operating and storage temperature  
,
T
-55...+150  
°C  
j
stg  
7)  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
15  
V/ns  
Rev. 2.6  
Page 1  
2005-09-21  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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