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SPI11N60CFD PDF预览

SPI11N60CFD

更新时间： 2024-11-23 06:13:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体栅极晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 562K
描述
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated

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SPI11N60CFD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-262AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.67其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：340 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.44 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPI11N60CFD 数据手册

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SPI11N60CFD  
Cool MOS™ Power Transistor  
Feature  
V
@ T  
650  
0.44  
11  
V
Ω
A
DS  
jmax  
R
DS(on)  
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
I
D
PG-TO262  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Intrinsic fast-recovery body diode  
• Extreme low reverse recovery charge  
Type  
Package  
Pb-free  
Marking  
SPI11N60CFD  
PG-TO262  
Yes  
11N60CFD  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
T = 25 °C  
I
D
11  
7
C
T = 100 °C  
C
28  
340  
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
p
jmax  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I = 5.5 A, V = 50 V  
D
DD  
1)  
0.6  
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
E
AR  
jmax  
jmax  
AR  
I = 11 A, V = 50 V  
D
DD  
11  
40  
A
Avalanche current, repetitive t limited by T  
I
AR  
AR  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
V/ns  
V
I =11A, V =480V, T =125°C  
DS  
S
j
Gate source voltage  
V
V
P
20  
30  
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
125  
W
Power dissipation, T = 25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
-55... +150  
j
stg  
Rev. 2.6  
Page 1  
2009-04-24  
1234567...12

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SPI11N60CFD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPI65R420CFD INFINEON

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