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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 41.2 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPI10N10L | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor |
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| SPI11N60C3 | INFINEON |
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Cool MOS Power Transistor |
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| SPI11N60C3HKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPI11N60C3XK | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPI11N60CFD | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
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| SPI11N60S5 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPI11N65C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPI11N65C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPI11N65C3XK | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SPI12N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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