5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.79 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21.9 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPI60R520CPAKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPI65R600C6 | INFINEON |
类似代替 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPI07N65C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 650V, 0.0006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| SPI08N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPI08N50C3HKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPI08N80C3 | INFINEON |
获取价格 |
CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology |
|
| SPI1000GCM | SPI |
获取价格 |
1000 Watts ATX12V and EPS12V Switching Power Supply |
|
| SPI100N03S2-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| SPI100N03S2L-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Power-Transistor |
|
| SPI105 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN-OUTPUT DC-INPUT OPTOCOUPLER,1-CHANNEL,2.5KV ISOLATION,DIP |
|
| SPI10N10 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
| SPI10N10L | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
