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SKM50GB12V

更新时间： 2024-11-18 06:11:51

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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SKM50GB12V

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SKM50GB12V 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：	11	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	79 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X11
元件数量：	2	端子数量：	11
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2.3 V	Base Number Matches：	1

SKM50GB12V 数据手册

SKM50GB12V

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

I_CRM= 3xI_Cnom

150

V_GES

-20 ... 20

SEMITRANS^®2

V_CC= 720 V

V_GE≤ 15 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

T_j= 175 °C

SKM50GB12V

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

Target Data

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

150

Features

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

270

-40 ... 175

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

• High short circuit capability, self

limiting to 6 x Icnom

200

-40 ... 125

4000

°C

• Fast & soft inverse CAL diodes

• Large clearance (10 mm) and

creepage distances (20 mm)

• Isolated copper baseplate using DBC

Technology (Direct Copper Bonding)

• UL recognized, file no. E63532

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications*

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic welders at fsw up to 20 kHz

I_C= 50 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.85

2.2

2.3

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

2.65

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.94

0.88

18.2

26.4

6.5

1.25

1.22

21.0

28.6

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 2 mA

V_GE= 0 V

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

0.1

0.3

Ω

_CE= 1200 V

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

0.30

0.295

540

4.0

R_Gint

t_d(on)

t_r

T_j= 150 °C

V_CC= 600 V

I_C= 50 A

_GE= ±15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 13 Ω

_{G off}= 13 Ω

E_off

R_th(j-c)

K/W

per IGBT

0.53

Rev. 0 – 23.12.2009

12 3

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SKM150GB12T4	SEMIKRON	完全替代	IGBT4 Modules
SKM50GB12T4	SEMIKRON	完全替代	IGBT4 Modules
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SKM50GD125D	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 1200V V(BR)CES
SKM50GDL063D	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D73, 17 PIN
SKM50GDL063DL	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GH063DL	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GXXX	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM600GA124D	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS M LOW LOSS IGBT MODULES
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