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SKM50GB12T4

更新时间: 2024-11-20 04:04:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 444K
描述
IGBT4 Modules

SKM50GB12T4 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-204包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:2.19
其他特性:UL RECOGNIZED外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):80 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):400 ns
标称接通时间 (ton):127 nsVCEsat-Max:2.1 V
Base Number Matches:1

SKM50GB12T4 数据手册

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SKM 50GB12T4  
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SKM 50GB12T4  
Module  
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Features  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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MJN  
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GB  
1
09-07-2007 SCH  
© by SEMIKRON  

SKM50GB12T4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SKM50GB12V SEMIKRON

完全替代

SKM50GB12V
SKM300GB12E4 SEMIKRON

完全替代

IGBT4 Modules
SKM150GB12T4 SEMIKRON

类似代替

IGBT4 Modules

与SKM50GB12T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM50GB12T4_09 SEMIKRON

获取价格

Fast IGBT4 Modules
SKM50GB12V SEMIKRON

获取价格

SKM50GB12V
SKM50GD063DL SEMIKRON

获取价格

SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GD125D SEMIKRON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 1200V V(BR)CES
SKM50GDL063D SEMIKRON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, CASE D73, 17 PIN
SKM50GDL063DL SEMIKRON

获取价格

SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GH063DL SEMIKRON

获取价格

SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules
SKM50GXXX SEMIKRON

获取价格

SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM600GA124D SEMIKRON

获取价格

SEMITRANS M LOW LOSS IGBT MODULES
SKM-600GA124D SEMIKRON

获取价格

Low Loss IGBT Module