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SKM50GD063DL

更新时间: 2024-11-17 22:07:27
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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6页 398K
描述
SEMITRANS M Superfast NPT-IGBT Modules

SKM50GD063DL 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):70 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X17
元件数量:6端子数量:17
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):250 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):330 ns
标称接通时间 (ton):90 nsVCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1

SKM50GD063DL 数据手册

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