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SKM50GB123D_1

更新时间： 2024-11-05 04:04:27
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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6页 2288K
描述
SEMITRANS㈢ M IGBT Modules

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SKM50GB123D_1 数据手册

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SEMITRANS®  
IGBT Modules  
M
Absolute Maximum Ratings  
Values  
... 123 D  
Symbol  
Conditions 1)  
Units  
VCES  
VCGR  
IC  
1200  
1200  
50 / 40  
V
V
A
SKM 50 GB 123 D  
SKM 50 GAL 123 D  
RGE = 20 kΩ  
Tcase = 25/80 °C  
ICM  
VGES  
Ptot  
Tj, (Tstg  
Visol  
Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
100 / 80  
± 20  
310  
A
V
W
°C  
V
per IGBT, Tcase = 25 °C  
)
– 40 . . .+150 (125)  
2 500  
AC, 1 min.  
humidity  
climate  
DIN 40 040  
DIN IEC 68 T.1  
Class F  
40/125/56  
Diodes  
IF= – IC  
Tcase = 25/80 °C  
50 / 40  
100 / 80  
550  
A
A
SEMITRANS 2  
IFM= – ICM Tcase = 25/80 °C; tp = 1 ms  
IFSM  
tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; Tj = 150 °C  
I2t  
1500  
A2s  
Characteristics  
Symbol  
Conditions 1)  
min.  
typ.  
max.  
Units  
V(BR)CES  
VGE(th)  
ICES  
VGE = 0, IC = 1 mA  
VGE = VCE, IC = 2 mA  
≥ VCES  
4,5  
–
–
5,5  
0,3  
3
–
6,5  
1
–
200  
V
V
mA  
mA  
nA  
V
GB  
GAL  
Features  
VGE = 0  
Tj = 25 °C  
•
•
•
•
MOS input (voltage controlled)  
N channel, Homogeneous Si  
Low inductance case  
Very low tail current with low  
temperature dependence  
High short circuit capability,  
self limiting to 6 * Icnom  
Latch-up free  
VCE = VCES Tj = 125 °C  
VGE = 20 V, VCE = 0  
IC = 40 A VGE = 15 V;  
IC = 50 A Tj = 25 (125) °C  
VCE = 20 V, IC = 40 A  
–
–
–
–
IGES  
–
VCEsat  
VCEsat  
gfs  
2,5(3,1) 3(3,7)  
2,7(3,5)  
30  
–
–
V
S
•
CCHC  
Cies  
Coes  
Cres  
LCE  
per IGBT  
VGE = 0  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
–
–
–
–
–
–
3300  
500  
220  
–
350  
4000  
600  
300  
30  
pF  
pF  
pF  
pF  
nH  
•
•
Fast & soft inverse CAL  
diodes8)  
•
•
Isolated copper baseplate  
using DCB Direct Copper Bon-  
ding Technology  
Large clearance (10 mm) and  
creepage distances (20 mm).  
td(on)  
tr  
td(off)  
VCC = 600 V  
–
–
–
–
–
–
70  
60  
400  
45  
7
–
–
–
–
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
mWs  
mWs  
VGE = + 15 V / - 15 V3)  
IC = 40 A, ind. load  
RGon = RGoff = 27 Ω  
Tj = 125 °C  
tf  
Eon  
Eoff  
5)  
5)  
Typical Applications: → B 6 - 85  
4,5  
•
•
Three phase inverter drives  
Switching (not for linear use)  
Diodes 8)  
VF = VEC  
VF = VEC  
VTO  
rT  
IRRM  
IF = 40 A VGE = 0 V;  
IF = 50 A Tj = 25 (125) °C  
Tj = 125 °C  
–
–
–
–
–
–
1,85(1,6) 2,2  
2,0(1,8)  
–
V
V
V
mΩ  
A
µC  
–
1,2  
22  
–
1)  
Tcase = 25 °C, unless otherwise  
specified  
IF = – IC, VR = 600 V,  
– diF/dt = 800 A/µs, VGE = 0 V  
Use VGEoff = -5 ... -15 V  
See fig. 2 + 3; RGoff = 27 Ω  
CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology.  
2)  
Tj = 125 °C  
–
IF = 40 A; Tj = 25 (125) °C2)  
IF = 40 A; Tj = 25 (125) °C2)  
23(35)  
2,3(7)  
3)  
5)  
8)  
Qrr  
–
Thermal Characteristics  
Rthjc  
Rthjc  
Rthch  
per IGBT  
per diode  
per module  
–
–
–
–
–
–
0,4  
0,7  
0,05  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Case and mech. data → B 6 - 86  
SEMITRANS 2  
by SEMIKRON  
0898  
B 6 – 81  
123456

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