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SKB10N60A

更新时间： 2024-11-06 22:21:47

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英飞凌 - INFINEON		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	446K
描述
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

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SKB10N60A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	32 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	92 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	15 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	224 ns	标称接通时间 (ton)：	40 ns

SKB10N60A 数据手册

SKP10N60A, SKB10N60A

SKW10N60A

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK) P-TO-247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SKP10N60A

SKB10N60A

SKW10N60A

600V

10A

2.3V

TO-220AB

TO-263AB

TO-247AC

Q67040-S4458

Q67040-S4459

Q67040-S4506

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

SKP10N60A

SKB10N60A

SKW10N60A

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

10.6

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Diode forward current

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{Fpul s}

V_{G E}

t_SC

Gate-emitter voltage

±20

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

µs

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Sep-02

12 3 4 5 6 7...15

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SKB10N60A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IGB20N60H3	INFINEON	完全替代	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
IRG4PC50WPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	类似代替	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与SKB10N60A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKB10N60A_07	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode
SKB110	SEMIKRON	获取价格	Miniature Bridge Rectifiers
SKB112	SEMIKRON	获取价格	Miniature Bridge Rectifiers
SKB15	SEMIKRON	获取价格	Power Bridge Rectifiers
SKB15/02	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 17A, 200V V(RRM),
SKB15/02A2	SEMIKRON	获取价格	Power Bridge Rectifiers
SKB15/04	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 17A, 400V V(RRM),
SKB15/04A2	SEMIKRON	获取价格	Power Bridge Rectifiers
SKB15/06A2	SEMIKRON	获取价格	Power Bridge Rectifiers
SKB15/08	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 17A, 800V V(RRM),

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