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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 31 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 65 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 139 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 28 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 315 ns | 标称接通时间 (ton)： | 54 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IGB20N60H3 | INFINEON |
类似代替  |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
|
| IGB15N60T | INFINEON |
类似代替 |
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
|
| IRG4PC50UDPBF | INFINEON |
功能相似 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKB15N60_07 | INFINEON |
获取价格 |
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode |
|
| SKB15N60E8151 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
|
| SKB15N60E8151ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
|
| SKB15N60HS | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology |
|
| SKB15N60HS_07 | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation |
|
| SKB15N60HSAT | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP |
|
| SKB15N60HSATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP |
|
| SKB15N60XT | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
|
| SKB2 | SEMIKRON |
获取价格 |
Miniature Bridge Rectifiers |
|
| SKB2/02L5A | SEMIKRON |
获取价格 |
Miniature Bridge Rectifiers |
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