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SKB15N60HS

更新时间： 2024-11-09 03:31:51
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
14页 348K
描述
High Speed IGBT in NPT-technology

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SKB15N60HS 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：27 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：138 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：252 ns标称接通时间 (ton)：27 ns
Base Number Matches：1

SKB15N60HS 数据手册

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SKB15N60HS  
^
High Speed IGBT in NPT-technology  
• 30% lower Eoff compared to previous generation  
• Short circuit withstand time – 10 µs  
C
G
E
• Designed for operation above 30 kHz  
• NPT-Technology for 600V applications offers:  
- parallel switching capability  
P-TO-220-3-45  
- moderate Eoff increase with temperature  
- very tight parameter distribution  
•
•
•
•
High ruggedness, temperature stable behaviour  
Pb-free lead plating; RoHS compliant  
Qualified according to JEDEC1 for target applications  
Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/  
Type  
VCE  
IC  
Tj  
Marking  
Package  
Eoff  
K15N60HS  
SKB15N60HS  
Maximum Ratings  
Parameter  
600V  
15A  
200µJ  
P-TO-220-3-45  
150°C  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
DC collector current  
TC = 25°C  
VCE  
IC  
600  
V
A
27  
15  
TC = 100°C  
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax  
Turn off safe operating area  
ICpul s  
-
60  
60  
VCE ≤ 600V, Tj ≤ 150°C  
Diode forward current  
TC = 25°C  
IF  
40  
20  
TC = 100°C  
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax  
Gate-emitter voltage static  
IFpul s  
VG E  
80  
±20  
±30  
V
transient (tp<1µs, D<0.05)  
Short circuit withstand time2)  
tSC  
10  
µs  
W
VGE = 15V, VCC ≤ 400V, Tj ≤ 150°C  
Power dissipation  
Pt ot  
138  
TC = 25°C  
Operating junction and storage temperature  
Tj ,  
-55...+150  
°C  
Tstg  
Time limited operating junction temperature for t < 150h  
Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)  
Tj(tl)  
-
175  
220  
1 J-STD-020 and JESD-022  
2) Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.  
1
Rev 2.2 June 06  
Power Semiconductors  
1234567...14

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SKB15N60HS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IGB20N60H3 INFINEON

完全替代

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
IRG4PC50WPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与SKB15N60HS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKB15N60HS_07 INFINEON

获取价格

 		High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SKB15N60HSAT INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP
SKB15N60HSATMA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, ROHS COMP
SKB15N60XT INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
SKB2 SEMIKRON

获取价格

 		Miniature Bridge Rectifiers
SKB2/02L5A SEMIKRON

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