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SKB15N60XT

更新时间： 2024-09-18 13:13:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
14页	451K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, D2PAK-3

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SKB15N60XT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	31 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns	Base Number Matches：	1

SKB15N60XT 数据手册

SKP15N60, SKB15N60

SKW15N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK) P-TO-247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

• Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SKP15N60

SKB15N60

SKW15N60

600V

15A

2.3V

TO-220AB

TO-263AB

TO-247AC

Q67040-S4251

Q67040-S4252

Q67040-S4243

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Diode forward current

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{Fpul s}

V_{G E}

t_SC

±20

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

µs

P_{t ot}

139

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

12 3 4 5 6 7...14

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