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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 0.67 | Samacsys Description： | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 40 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.7 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 241 ns | 标称接通时间 (ton)： | 31 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SKB10N60 | INFINEON |
完全替代  |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3 |
|
| SKB15N60HS | INFINEON |
完全替代 |
High Speed IGBT in NPT-technology |
|
| SKB10N60A | INFINEON |
完全替代 |
Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
|
| IGB20N65S5 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT TRENCHSTOP? 5 |
|
| IGB30N60H3 | INFINEON |
获取价格 |
600V high speed switching series third generation |
|
| IGB30N60T | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology |
|
| IGB30N60T_09 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss IGBT in TrenchStop technology |
|
| IGB30N60TATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL |
|
| IGB50N60T | INFINEON |
获取价格 |
LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY |
|
| IGB50N60T_09 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss IGBT in TrenchStop technology |
|
| IGB50N60TATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, P |
|
| IGB50N65H5 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT TRENCHSTOP™ 5 |
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