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英飞凌 - INFINEON | 开关驱动斩波器双极性晶体管装置驱动器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
9页 | 632K | |
描述 | ||
我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列,它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于几乎所有应用。市场知名的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK™和XHP™系列功率模块都采用了最新的IGBT技术。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置,电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦,高至数兆瓦。这些产品可用于通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电(如光伏逆变器或风电应用)等应用,具有高可靠性、出色性能、高效率和使用寿命长的优势。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IGC03R60D | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 1.73 X 1.60 MM, DIE-2 | |
IGC03R60DE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC03R60DEX1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC03R60DEX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 | |
IGC04R60D | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 1.98 X 1.85 MM, DIE-2 | |
IGC04R60DE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
IGC04R60DEX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 | |
IGC04R60DX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 1.98 X 1.85 MM, DIE-2 | |
IGC05R60D | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 2.21 X 2.19 MM, DIE-2 | |
IGC05R60DE | INFINEON |
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第一代反向导通 TRENCHSTOP? IGBT RC-Serie 配有独特的 TRENC |